23/05/31?現代CMOS技術發展迅速，在幾乎所有成像性能上都已超越CCD。然而，對于長曝光成像應用，在像素融合、暗電流、長曝光邊角輝光抑制等關鍵性能指標上，市場仍在期待一臺理想的、能完全替代CCD的CMOS產品。同時，作為長曝光核心性能保障的相機制冷腔密封技術，現階段僅有少數廠家能完全掌握，這也是深度制冷相機技術替代的關鍵之爭。
FL 9BW是鑫圖針對長曝光應用開發的一款深度制冷CMOS相機。它采用索尼新一代背照式CMOS技術和鑫圖先進制冷、圖像降噪技術聯合打造。實測表明，與市場上現有的CMOS產品相比，FL 9BW長曝光成像能力有突破性提升，在如化學發光成像等長曝光應用中，可以替代深度制冷CCD。
< 0.0005 e-/p/s 暗電流
可替代冷CCD長曝光應用
FL 9BW暗電流達到了0.0005 e-/p/s甚至更低的水平。鑫圖工程師針對不同成像條件，對FL 9BW 和制冷CCD(695)相機做了大量的對比測試，結果顯示：FL 9BW在長達30鐘的長曝光實驗中，仍能獲取背景干凈，高信噪比(SNR)的圖像。綜合成像性能全面趕超695 CCD。
1. 中等強度信號
圖1
2.?極弱信號
圖2
?-25℃深度制冷
制冷腔可靠性高
制冷腔密封技術是長曝光成像性能的核心保障。FL 9BW在室溫環境(22℃)下，僅用風冷就實現了以往水冷技術才能達到的-25℃深度制冷水平，且用戶可以自行設置制冷溫度等級。
圖3：FL 9BW制冷腔工作溫度示意圖。
鑫圖為FL 9BW制冷腔提供3年質保。作為國內制冷相機技術先驅，鑫圖不僅在制冷腔密封結構方面取得了一系列防水、防塵、防凝露等發明專利成果，還建立了一整套產業化質量工藝標準，可確保批量品質的一致性。鑫圖近5年的數據顯示：我們的制冷腔幾乎沒有水汽凝結等問題，可靠性有保障。
背景均一
定量分析更精準
FL 9BW同時集成了索尼芯片優異的輝光抑制能力和鑫圖先進圖像降噪技術，基本杜絕了邊角亮光、壞點像素等不良制程因素對正常信號的干擾，成像背景均一，更適合定量分析應用。
圖4
SONY 背照式科學級芯片
綜合成像性能優越
FL 9BW采用索尼新一代背照式科學級CMOS芯片，不僅暗電流達到了深度制冷CCD相當的水平，而且還具有現代CMOS技術的典型特征：峰值量子效率高達92%，讀出噪聲僅0.9 e-，弱光成像能力碾壓CCD，動態范圍更是傳統CCD的4倍以上，成像速度更快，綜合成像性能十分優越。
圖5
鑫圖FL 9BW不僅能完全替代CCD在化學發光、天文成像等領域的長曝光應用，還可用于對速度，成像視野有高要求的熒光成像，歡迎聯系我們了解更多功能介紹或申請樣機免費測試。
